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2N3739

更新时间： 2024-02-05 07:32:40

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2页	20K
描述
POWER TRANSISTORS NPN SILICON

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2N3739 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-66
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.34
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.25 A
集电极-发射极最大电压：	300 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-213AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	10 MHz	Base Number Matches：	1

2N3739 数据手册

2N3738

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm

POWER TRANSISTORS

NPN SILICON

6.35 (0.250)

8.64 (0.340)

3.68

(0.145) rad.

max.

3.61 (0.142)

4.08(0.161)

rad.

FEATURES

• Hermetically Packaged.

• Low Saturation Voltage

• High Gain

1.27 (0.050)

1.91 (0.750)

4.83 (0.190)

5.33 (0.210)

9.14 (0.360)

min.

TO66 Package (TO-213AA)

Pin 1 = Base

Pin 2 = Emitter

Case = Collector

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

case

Collector – Base Voltage

Collector – Emitter Voltage (I = 0)

250V

225V

CBO

CEO

EBO

Emitter – Base Voltage (I = 0)

Collector Current

Peak Collector Current

Base Current

C(PK)

0.5A

Total Device Dissipation at T

= 25°C

20W

case

Derate 25°C

0.133W/°C

–65 to 200°C

Operating and Storage Temperature Range

stg

Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed

to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.

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Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

Document Number 6051

Issue 1

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