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2N3741

更新时间： 2024-01-12 10:38:44
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无锡固电 - ISC 晶体晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
3页 127K
描述
isc Silicon PNP Power Transistors

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2N3741 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.6
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：4 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：10
最高工作温度：200 °C极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：50 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

2N3741 数据手册

 浏览型号2N3741的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N3741的Datasheet PDF文件第3页 
Inchange Semiconductor  
Product Specification  
Silicon PNP Power Transistors  
2N3740 2N3741  
DESCRIPTION  
·With TO-66 package  
·Excellent safe area limits  
·Low collector saturation voltage  
APPLICATIONS  
·Suitable for use in as drivers,switches and  
medium-power amplifier and applications  
PINNING (See Fig.2)  
PIN  
1
DESCRIPTION  
Base  
2
Emitter  
Collector  
Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol  
3
Absolute maximum ratings(Ta=25℃)  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
VALUE  
-60  
UNIT  
2N3740  
2N3741  
2N3740  
2N3741  
VCBO  
Collector-base voltage  
Open emitter  
V
-80  
-60  
VCEO  
Collector-emitter voltage  
Open base  
V
-80  
VEBO  
IC  
ICM  
IB  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Open collector  
-7  
V
A
-4  
Collector current-Peak  
Base current  
-10  
A
-2  
mA  
W
℃
℃
PT  
Tj  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
TC=25℃  
25  
150  
-65~200  
Tstg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX  
UNIT  
Rth j-C  
Thermal resistance from junction to case  
7.0  
℃/W  
123

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