5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2N3737UB
2N3737UB PDF预览

2N3737UB

更新时间： 2024-02-27 19:40:14
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体开关晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 184K
描述
NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

2N3737UB 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOT包装说明：CERAMIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.32最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JESD-30 代码：R-CDSO-N3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：60 ns
最大开启时间（吨）：48 ns

2N3737UB 数据手册

 浏览型号2N3737UB的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N3737UB的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N3737UB的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2N3737UB的Datasheet PDF文件第5页 
TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http: //www.microsemi.com  
NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/395  
DEVICES  
LEVELS  
JAN  
JANTX  
JANTXV  
JANS  
2N3735  
2N3737  
2N3735L  
2N3737UB  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Collector-Emitter Voltage  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Min.  
40  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
75  
5
TO-5*  
1.5  
2N3735L  
2N3735, 2N3735L  
2N3737  
2N3737UB  
1.0 (1)  
0.5 (3)  
0.5 (5)  
W
W
W
Total Power Dissipation  
@ TA = +25°C  
PT  
2N3735, 2N3735L  
2N3737  
2N3737UB  
2.9 (2)  
1.9 (4)  
N/A  
W
W
W
Total Power Dissipation  
@ TC = +25°C  
PT  
Operating & Storage Junction Temperature Range  
TJ, Tstg  
-65 to +200  
°C  
* Electrical characteristics for “L” suffix devices are identical to the “non L” corresponding  
devices.  
(1) Derate linearly at 5.71 mW/°C above TA = +25°C  
(2) Derate linearly at 16.6 mW/°C above TA = +25°C  
(3) Derate linearly at 2.86 mW/°C above TA = +25°C  
(4) Derate linearly at 11.3 mW/°C above TA = +25°C  
(5) Derate linearly at 3.07 mW/°C above TA = +25°C  
TO-39* (TO-205AD)  
2N3735  
(6) TA = +55°C for UB on printed circuit board (PCB). PCB = FR4 .0625 inch (1.59MM) 1  
– layer 1 oz Cu, horizontal, still air, pads (UB) = .034 inch (0.86 mm) x .048 inch (1.2  
mm), RθJA with a defined thermal resistance condition included is measured at PT =  
500mW.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
3 PIN  
2N3737UB  
Parameters / Test Conditions  
OFF CHARACTERTICS  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 10mAdc  
V(BR)CEO  
40  
Vdc  
Collector-Base Cutoff Current  
10  
250  
μAdc  
ηAdc  
V
V
CB = 75Vdc  
CB = 30Vd  
ICBO  
TO-46 (TO-206AB)  
2N3737  
T4-LDS-0173 Rev. 1 (101069)  
Page 1 of 5  
12345

中文翻译

下载PDF

与2N3737UB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N3738 NJSEMI

获取价格

 		SI NPN POWER BJT
2N3738 SEME-LAB

获取价格

 		POWER TRANSISTORS NPN SILICON
2N3738 CENTRAL

获取价格

 		Power Transistors
2N3738LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 225V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2
2N3738PBFREE CENTRAL

获取价格

 		暂无描述
2N3739 SEME-LAB

获取价格

 		POWER TRANSISTORS NPN SILICON
2N3739 CENTRAL

获取价格

 		Power Transistors
2N3739 NJSEMI

获取价格

 		SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081
2N3740 CENTRAL

获取价格

 		PNP SILICON POWER TRANSISTORS
2N3740 SEME-LAB

获取价格

 		Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66

与2N3737UB相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证