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2N3737UB

更新时间： 2024-01-02 17:22:49

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SEMICOA		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	235K
描述
Silicon NPN Transistor

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2N3737UB 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.16
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JESD-30 代码：	R-CDSO-N3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
最大开启时间（吨）：	48 ns	Base Number Matches：	1

2N3737UB 数据手册

2N3737UB

Silicon NPN Transistor

Data Sheet

Description

Applications

• General purpose

• Low power

Semicoa Semiconductors offers:

• NPN silicon transistor

• Screening and processing per MIL-PRF-19500 Appendix E

• JAN level (2N3737UBJ)

• JANTX level (2N3737UBJX)

• JANTXV level (2N3737UBJV)

• JANS level (2N3737UBJS)

• QCI to the applicable level

• 100% die visual inspection per MIL-STD-750 method

2072 for JANTXV and JANS

• Radiation testing (total dose) upon request

Features

• Hermetically sealed Cersot ceramic

• Also available in chip configuration

• Chip geometry 0806

• Reference document:

MIL-PRF-19500/395

Benefits

• Qualification Levels: JAN, JANTX,

JANTXV and JANS

• Radiation testing available

Please contact Semicoa for special configurations

www.SEMICOA.com or (714) 979-1900

Absolute Maximum Ratings

T_C= 25°C unless otherwise specified

Parameter

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current, Continuous

Symbol

Rating

Unit

Volts

mW/°C

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

1.5

Power Dissipation, T_A= 25°C

Derate linearly above 37.5°C

Thermal Resistance

0.5

P_T

3.07

325

°C/W

R_θJA

T_J

Operating Junction Temperature

-65 to +200

°C

Storage Temperature

T_STG

Semicoa Semiconductors, Inc.

Rev. G

333 McCormick Avenue, Costa Mesa, California 92626 714.979.1900, FAX 714.557.4541

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