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2N3737

更新时间： 2024-01-02 10:45:59

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SEMICOA		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	48K
描述
Type 2N3737 Geometry TBD Polarity NPN

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2N3737 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TO-46
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.31
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-46	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
最大关闭时间（toff）：	60 ns	最大开启时间（吨）：	48 ns

2N3737 数据手册

Data Sheet No. 2N3737

Ge ne ric Pa rt Numbe r:

2N3737

Type 2N3737

Geometry TBD

Polarity NPN

REF: MIL-PRF-19500/395

Qual Level: Pending

Features:

General-purpose NPN silicon

switching transistor which oper-

ates over a wide temperature

range.

Housed in a TO-46 case.

Also it will be available in chip

form using the TBD chip geome-

try.

The Min and Max limits shown are

per MIL-PRF-19500/395 which

Semicoa meets in all cases.

TO-46

Maximum Ratings

T_C= 25^oC unless otherwise specified

Rating

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current, Continuous

Power, T_A= +25^oC

5.0

1.5

P_T

0.5

Power, T_C= +25^oC

P_T

1.9

^oC/mW

R_JC

Thermal Resistance

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

0.088

-55 to +200

^oC

T_J

T_STG

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