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2N3726

更新时间: 2024-09-30 21:58:31
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CENTRAL 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 111K
描述
PNP DUAL SILICON TRANSISTOR

2N3726 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.53Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.3 A
集电极-发射极最大电压:45 V配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE):115JEDEC-95代码:TO-78
JESD-30 代码:O-MBCY-W6JESD-609代码:e0
元件数量:2端子数量:6
最高工作温度:175 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.4 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHzBase Number Matches:1

2N3726 数据手册

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