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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2N3725
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2N3725

更新时间： 2024-11-26 07:28:31
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 492K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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2N3725 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-39
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.16
最大集电极电流 (IC)：1.2 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：25
JEDEC-95代码：TO-39JESD-30 代码：O-MBCY-W3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：200 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.8 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
最大关闭时间（toff）：60 ns最大开启时间（吨）：35 ns
Base Number Matches：1

2N3725 数据手册

 浏览型号2N3725的Datasheet PDF文件第2页 
2N3724  
2N3725  
2N3725A  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
NPN SILICON TRANSISTOR  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3724, 2N3725,  
2N3725A types are Silicon NPN Planar Epitaxial  
Transistors designed for high voltage, high current,  
high speed switching applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-39 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
2N3724  
50  
30  
2N3725 2N3725A  
UNITS  
V
V
V
A
A
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
Power Dissipation  
V
V
V
80  
50  
80  
50  
CBO  
CEO  
EBO  
6.0  
1.2  
I
C
I
1.75  
0.8  
3.5  
A
CM  
P
P
0.8  
3.5  
1.0  
5.0  
W
W
°C  
D
D
Power Dissipation (T =25°C)  
C
Operating and Storage Junction Temperature  
T , T  
-65 to +200  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
2N3724  
2N3725  
MIN MAX  
2N3725A  
MIN MAX  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN MAX  
UNITS  
µA  
µA  
µA  
µA  
µA  
µA  
µA  
µA  
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
I
I
I
I
I
I
I
I
V
V
V
V
V
V
V
V
=50V  
=80V  
=40V  
=40V, T =100°C  
=60V  
=60V, T =100°C  
=50V  
=80V  
-
-
-
-
-
-
-
-
10  
-
1.7  
120  
-
-
10  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10  
-
B
B
CE  
CE  
CB  
CB  
CB  
CB  
CE  
CE  
CBO  
CBO  
CBO  
CBO  
CES  
CES  
-
-
A
1.7  
120  
-
10  
-
-
-
-
0.25  
0.26  
0.40  
0.52  
0.80  
0.95  
0.76  
0.86  
1.1  
1.1  
1.5  
1.7  
0.5  
50  
-
10  
-
-
A
BV  
BV  
BV  
BV  
I =10µA  
50  
50  
30  
6.0  
-
-
-
-
-
-
-
-
80  
80  
50  
6.0  
-
-
-
-
-
-
-
-
80  
80  
50  
6.0  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
CBO  
CES  
CEO  
EBO  
C
I =10µA  
-
-
-
C
I =10mA  
-
-
C
I =10µA  
E
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.25  
0.20  
0.32  
0.42  
0.65  
0.75  
0.76  
0.86  
1.1  
1.1  
1.5  
1.7  
0.25  
0.26  
0.40  
0.52  
0.80  
0.90  
0.76  
0.86  
1.0  
1.1  
1.3  
1.4  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
C
B
B
B
B
I =100mA, I =10mA  
C
I =300mA, I =30mA  
C
I =500mA, I =50mA  
C
I =800mA, I =80mA  
C
B
I =1.0A, I =100mA  
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
C
B
B
B
B
I =100mA, I =10mA  
C
I =300mA, I =30mA  
-
-
C
I =500mA, I =50mA  
0.80  
-
-
0.80  
-
-
0.80  
-
0.90  
V
V
V
C
I =800mA, I =80mA  
C
B
I =1.0A, I =100mA  
C
B
R1 (5-December 2010)  
12

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