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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.63 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 1.2 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3724ALEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI |
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| 2N3725 | STMICROELECTRONICS |
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HIGH VOLTAGE, HIGH CURRENT SWITCH |
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| 2N3725 | SEME-LAB |
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HIGH VOLTAGE, HIGH CURRENT, HIGH SPEED, NPN SWITCHING |
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| 2N3725 | CENTRAL |
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NPN SILICON TRANSISTOR |
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| 2N3725 | NJSEMI |
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HIGH SPEED NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL |
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| 2N3725/TR | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, |
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| 2N3725A | NJSEMI |
获取价格 |
EPITAXIAL PLANAR NPN |
|
| 2N3725A | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
|
| 2N3725AS | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 50V 3-Pin TO-39 |
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| 2N3726 | RAYTHEON |
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Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
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