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2N3306

更新时间： 2024-02-10 13:09:25

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	388K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| TO-5

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2N3306 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.6 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

2N3306 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N3307	NJSEMI	SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081	获取价格
2N3307	MOTOROLA	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic	获取价格
2N3308	NJSEMI	SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081	获取价格
2N330A	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-5	获取价格
2N331	ETC	alloy-junction germanium transistors	获取价格
2N3311	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-36	获取价格

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