5秒后页面跳转
2N330A PDF预览

2N330A

更新时间: 2024-02-23 09:26:01
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 152K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-5

2N330A 技术参数

生命周期:Contact ManufacturerReach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.55
最大集电极电流 (IC):0.05 A集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE元件数量:1
最高工作温度:160 °C极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.386 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):0.5 MHz
Base Number Matches:1

2N330A 数据手册

  

与2N330A相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N331 ETC alloy-junction germanium transistors

获取价格

2N3311 ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-36

获取价格

2N3312 ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-36

获取价格

2N3313 ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-36

获取价格

2N3314 ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-36

获取价格

2N3315 ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-36

获取价格