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2N3312

更新时间： 2024-01-17 04:50:25

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	763K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-36

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2N3312 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.6	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	60	最高工作温度：	110 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	170 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	0.001 MHz	Base Number Matches：	1

2N3312 数据手册

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