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2N3337

更新时间: 2024-02-07 20:31:34
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5页 388K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-72

2N3337 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-72包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.86Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.05 A基于收集器的最大容量:1.6 pF
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):30最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码:TO-72JESD-30 代码:O-MBCY-W4
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:4最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.3 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):400 MHz
Base Number Matches:1

2N3337 数据手册

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