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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-CDSO-N6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.83 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 45 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JEDEC-95代码： | MO-041BB |
| JESD-30 代码： | R-CDSO-N6 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N3348DCSM | SEME-LAB | Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed |
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| 2N3349 | NJSEMI | Trans GP BJT PNP 45V 0.03A 6-Pin LCC-2 |
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| 2N3349DCSM | SEME-LAB | Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed |
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| 2N334A | NJSEMI | NPN Silicon Diffused Transistors |
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| 2N335 | ASI | SILICON TRANSISTORS |
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| 2N335 | NJSEMI | NPN Silicon Diffused Transistors |
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