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2N3314

更新时间: 2024-02-12 18:32:06
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 763K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-36

2N3314 技术参数

生命周期:Contact ManufacturerReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.61Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):5 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):100最高工作温度:110 °C
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):170 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
标称过渡频率 (fT):0.001 MHzBase Number Matches:1

2N3314 数据手册

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