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2N3303

更新时间： 2024-11-11 23:19:47

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其他 - ETC		晶体晶体管
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2页	70K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 12V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-9VAR

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2N3303 数据手册

SEMICONDUCTOR

2N5400

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

GENERAL PURPOSE APPLICATION.

HIGH VOLTAGE APPLICATION.

FEATURES

ᴌHigh Collector Breakdwon Voltage

: V_CBO=-130V, V_CEO=-120V

ᴌLow Leakage Current.

DIM MILLIMETERS

4.70 MAX

4.80 MAX

3.70 MAX

0.45

: I_CBO=-100nA(Max.) @V_CB=-100V

ᴌLow Saturation Voltage

1.00

1.27

0.85

: V_CE(sat)=-0.5V(Max.) @I_C=-50mA, I_B=-5mA

ᴌLow Noise : NF=8dB (Max.)

0.45

14.00 +0.50

0.55 MAX

2.30

0.45 MAX

1.00

1. EMITTER

2. BASE

MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)

3. COLLECTOR

CHARACTERISTIC

Collector-Base Voltage

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

-130

-120

-5

UNIT

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

TO-92

-600

-100

I_B

Base Current

Collector Power Dissipation

(Ta=25ᴱ)

P_C

625

1.5

Collector Power Dissipation

(Tc=25ᴱ)

T_j

Junction Temperature

150

ᴱ

T_stg

Storage Temperature Range

-55ᴕ150

1997. 5. 13

Revision No : 0

1/2

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