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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.74 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.8 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 标称过渡频率 (fT)： | 70 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3109LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI |
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| 2N311 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | TO-43 |
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| 2N3110 | MICRO-ELECTRONICS |
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NPN SILICON AF MEDIUM POWER AMPLIFIERS & SWITCHES |
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| 2N3110 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N3110 | SEME-LAB |
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Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 |
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| 2N3110 | COMSET |
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GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS AND SWITCHES |
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| 2N3110 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 40V 3-Pin TO-39 Box |
|
| 2N3114 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N3114CSM | SEME-LAB |
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SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR |
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| 2N3114CSM_09 | SEME-LAB |
获取价格 |
SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR |
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