Datasheet > 2N2907AUB

2N2907AUB

更新时间： 2024-10-04 22:49:23

品牌	Logo	应用领域
SEMICOA		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
2页	48K
描述
Type 2N2907AUB Geometry 0600 Polarity PNP

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N2907AUB 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.01
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-CDSO-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	300 ns	最大开启时间（吨）：	45 ns
Base Number Matches：	1

2N2907AUB 数据手册

Data Sheet No. 2N2907AUB

Ge ne ric Pa rt Numbe r:

2N2907A

Type 2N2907AUB

Geometry 0600

Polarity PNP

Qual Level: JAN - JANS

REF: MIL-PRF-19500/291

Features:

General-purpose transistor for

switching and amplifier applica-

tons.

Housed in a cersot case.

Also available in chip form using

the 0600 chip geometry.

The Min and Max limits shown are

per MIL-PRF-19500/291 which

Semicoa meets in all cases.

The Typ values are actual batch

Cersot

averages for Semicoa.

Radiation Graphs available.

Maximum Ratings

T_C= 25^oC unless otherwise specified

Rating

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current, Continuous

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

5.0

600

^oC

T_J

-65 to +200

^oC

T_STG

中文翻译

下载PDF

2N2907AUB 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTXV2N2907AUB	MICROSEMI	功能相似	PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR
JANS2N2907AUB	MICROSEMI	功能相似	PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

与2N2907AUB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N2907AUB_02	SEMICOA	获取价格	Silicon PNP Transistor
2N2907AUB0	STMICROELECTRONICS	获取价格	Hi-Rel 60 V, 0.6 A PNP transistor
2N2907AUB0SW35	STMICROELECTRONICS	获取价格	Hi-Rel 60 V, 0.6 A PNP transistor
2N2907AUB1	STMICROELECTRONICS	获取价格	高可靠性PNP双极性晶体管60 V、0.6 A
2N2907AUBC	MICROSEMI	获取价格	RADIATION HARDENED
2N2907AUBCE3	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC
2N2907AUBE3-TR	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC
2N2907AUBG	STMICROELECTRONICS	获取价格	高可靠性PNP双极性晶体管60 V、0.6 A
2N2907AUBT	STMICROELECTRONICS	获取价格	高可靠性PNP双极性晶体管60 V、0.6 A
2N2907AUB-TR	MICROSEMI	获取价格	暂无描述