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2N2907ADCSM

更新时间： 2024-10-04 22:49:23
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB 晶体开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 20K
描述
DUAL HIGH SPEED, MEDIUM POWER PNP SWITCHING TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS

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2N2907ADCSM 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：LCC
包装说明：SMALL OUTLINE, R-CDSO-N6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.06其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-CDSO-N6
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
最大关闭时间（toff）：100 ns最大开启时间（吨）：45 ns
Base Number Matches：1

2N2907ADCSM 数据手册

 浏览型号2N2907ADCSM的Datasheet PDF文件第2页 
2N2907ADCSM  
S E M E  
LA B  
DUAL HIGH SPEED, MEDIUM POWER  
PNP SWITCHING TRANSISTOR IN A  
HERMETICALLY SEALED  
CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE  
FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS  
MECHANICAL DATA  
Dimensions in mm (inches)  
FEATURES  
1.40 ± 0.15  
(0.055 ± 0.006)  
2.29 ± 0.20  
(0.09 ± 0.008)  
1.65 ± 0.13  
(0.065 ± 0.005)  
• DUAL SILICON PLANAR EPITAXIAL  
PNP TRANSISTORS  
• HERMETIC CERAMIC SURFACE  
MOUNT PACKAGE  
2
1
6
3
4
A
• CECC SCREENING OPTIONS  
0.23  
(0.009)  
5
rad.  
• SPACE QUALITY LEVELS OPTIONS  
1.27 ± 0.13  
(0.05 ± 0.005)  
A =  
6.22 ± 0.13  
(0.245 ± 0.005)  
• HIGH SPEED SATURATED SWITCHING  
LCC2 PACKAGE  
Underside View  
APPLICATIONS:  
Hermetically sealed dual surface mount  
version of the popular 2N2907A for high  
reliability / space applications requiring  
small size and low weight devices.  
PAD 1 – Collector 1  
PAD 4 – Collector 2  
PAD 5 – Emitter 2  
PAD 6 – Emitter 1  
PAD 2 – Base 1  
PAD 3 – Base 2  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
C
PER SIDE  
V
V
V
Collector - Base Voltage  
–60V  
–60V  
CBO  
CEO  
EBO  
Collector - Emitter Voltage  
Emitter - Base Voltage  
–5V  
I
Collector Current  
600mA  
350mW  
2.0mW / °C  
C
P
P
Total Device Dissipation  
D
D
Derate above 50°C  
TOTAL DEVICE  
R
R
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Thermal Resistance Junction to Case  
Storage Temperature, Operating temp range  
130°C / W  
60°C / W  
JA  
JC  
T
T
–55 to 200°C  
STG, j  
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
Prelim. 3/00  
12

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与2N2907ADCSM相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N2907ADCSM_08 SEME-LAB

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 		DUAL HIGH SPEED, MEDIUM POWER PNP SWITCHING TRANSISTOR
2N2907ADIE MICROSEMI

获取价格

 		SWITCHING TRANSISTOR PNP SILICON
2N2907AHR STMICROELECTRONICS

获取价格

 		Hi-Rel 60 V, 0.6 A PNP transistor
2N2907AJ.TX.V RAYTHEON

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 		Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches
2N2907AL MICROSEMI

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 		PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR
2N2907ALEADFREE CENTRAL

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