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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2779 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, |
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| 2N2779 | NJSEMI |
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20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A |
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| 2N2779E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, |
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| 2N278 | NJSEMI |
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POWER TRANSISTOR |
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| 2N2780 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, |
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| 2N2780 | NJSEMI |
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20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A |
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| 2N2780E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, |
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| 2N2784 | NJSEMI |
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NPN SILICON TRANSISTOR |
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| 2N2785 | NJSEMI |
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20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A |
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| 2N2787 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 35V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-5 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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