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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.77 | 最大集电极电流 (IC)： | 30 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N2779 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, |
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| 2N2779 | NJSEMI | 20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A |
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| 2N2779E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, |
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| 2N278 | NJSEMI | POWER TRANSISTOR |
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| 2N2780 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, |
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| 2N2780 | NJSEMI | 20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A |
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