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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.69 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A | JESD-609代码： | e0 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2806 | RAYTHEON |
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Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
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| 2N2807 | RAYTHEON |
获取价格 |
Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
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| 2N2807 | NJSEMI |
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SI PNP LO-PWR BJT |
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| 2N281 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 16V V(BR)CEO | 50MA I(C) | CAN |
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| 2N2811 | NJSEMI |
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SILICON PLANAR NPN POWER TRANSISTORS |
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| 2N2811E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
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| 2N2812 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 60V 10A 3-Pin TO-61 |
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| 2N2812E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
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| 2N2813 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin TO-61 |
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| 2N2813E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
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