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2N2780E3 PDF预览

2N2780E3

更新时间： 2024-01-23 21:01:16

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	88K
描述
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, 3 Pin, TO-63, 3 PIN

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2N2780E3 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	TO-63, 3 PIN
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	30 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JEDEC-95代码：	TO-63	JESD-30 代码：	O-MUPM-X3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N2780E3 数据手册

1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N2784	NJSEMI	NPN SILICON TRANSISTOR	获取价格
2N2785	NJSEMI	20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A	获取价格
2N2787	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 35V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| TO-5	获取价格
2N2788	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 35V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| TO-5	获取价格
2N2789	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 35V V(BR)CEO \| 800MA I(C) \| TO-5	获取价格
2N279	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 20V V(BR)CEO \| 10MA I(C) \| CAN	获取价格

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