5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.46 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JEDEC-95代码： | TO-61 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 40 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 70 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 15 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N2813E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
获取价格 |
|
| 2N2814 | NJSEMI | Trans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin TO-61 |
获取价格 |
|
| 2N2814E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
获取价格 |
|
| 2N2815 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 20A I(C) | STR-5/16 |
获取价格 |
|
| 2N2816 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 20A I(C) | STR-5/16 |
获取价格 |
|
| 2N2817 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 20A I(C) | STR-5/16 |
获取价格 |
|
全球首块英伟达H200交付 黄仁勋“送货上门”
常用8脚开关电源芯片型号大全
74HC04芯片引脚图及功能、应用电路图讲解
CR6842芯片参数、引脚配置、应用电路图详解
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
