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2N2780

更新时间: 2024-11-20 20:33:19
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美高森美 - MICROSEMI /
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1页 88K
描述
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, 3 Pin, TO-63, 3 PIN

2N2780 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-63
包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.92
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):30 A
集电极-发射极最大电压:300 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10JEDEC-95代码:TO-63
JESD-30 代码:O-MUPM-X3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2N2780 数据手册

  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N2780E3 MICROSEMI

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