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2N2660

更新时间： 2024-02-03 06:06:04

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	377K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 70V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| CAN

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2N2660 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.57
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	70 V
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	O-MBCY-W	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	最高工作温度：	100 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管元件材料：	GERMANIUM

2N2660 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N2661	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 90V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| CAN	获取价格
2N2662	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| STR-10	获取价格
2N2663	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 70V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| STR-10	获取价格
2N2664	NJSEMI	20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A	获取价格
2N2665	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| CAN	获取价格
2N2666	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 70V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| CAN	获取价格

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