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| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.54 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 35 | JEDEC-95代码： | TO-5 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.6 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz |
| VCEsat-Max： | 1.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N1253 | NJSEMI |
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NPN SWITCHING TRANSISTORS |
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| 2N1254 | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), PNP |
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| 2N1255 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5 |
|
| 2N1256 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5 |
|
| 2N1257 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-5 |
|
| 2N1258 | ETC |
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Small Signal Transistors |
|
| 2N1259 | ETC |
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Small Signal Transistors |
|
| 2N1260 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-53 |
|
| 2N1261 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 3.5A I(C) | STR-8 |
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| 2N1262 | SMSC |
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Power Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, PNP, Germanium, Metal, 3 Pin, MT-36, 3 PIN |
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