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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.77 |
| JESD-609代码： | e0 | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 端子面层： | TIN LEAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N1131E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, |
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| 2N1131J | RAYTHEON |
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Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
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| 2N1131L | MICROSEMI |
获取价格 |
LOW POWER PNP SILICON TRANSISTOR |
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| 2N1131L | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO5 |
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| 2N1131LE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, |
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| 2N1132 | SEME-LAB |
获取价格 |
SILICON PLANAR PNP TRANSISTOR |
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| 2N1132 | NJSEMI |
获取价格 |
SI PNP LO-PWR BJT |
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| 2N1132 | MICROSEMI |
获取价格 |
LOW POWER PNP SILICON TRANSISTOR |
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| 2N1132 | RAYTHEON |
获取价格 |
Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
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| 2N1132A | RAYTHEON |
获取价格 |
Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
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