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2MBI100NB-120

更新时间： 2024-10-29 22:07:59
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富士电机 - FUJI 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 154K
描述
IGBT MODULE ( N series )

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2MBI100NB-120 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数：7Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.83外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：100 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND CUR LIMITING CIRCUIT最大降落时间（tf）：500 ns
JESD-30 代码：R-XUFM-X7元件数量：2
端子数量：7封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：1600 W
最大功率耗散 (Abs)：800 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：850 ns标称接通时间 (ton)：650 ns
VCEsat-Max：3.3 VBase Number Matches：1

2MBI100NB-120 数据手册

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IGBT MODULE ( N series )  
n Outline Drawing  
n Features  
• Square RBSOA  
• Low Saturation Voltage  
• Less Total Power Dissipation  
• Improved FWD Characteristic  
• Minimized Internal Stray Inductance  
• Overcurrent Limiting Function (4~5 Times Rated Current)  
n Applications  
• High Power Switching  
• A.C. Motor Controls  
• D.C. Motor Controls  
• Uninterruptible Power Supply  
n Maximum Ratings and Characteristics  
n Equivalent Circuit  
• Absolute Maximum Ratings ( Tc=25°C)  
Items  
Collector-Emitter Voltage  
Gate -Emitter Voltage  
Symbols  
Ratings  
1200  
± 20  
Units  
V
V
VCES  
VGES  
Continuous  
1ms  
Continuous  
1ms  
IC  
100  
200  
100  
200  
Collector  
Current  
IC PULSE  
-IC  
-IC PULSE  
A
Max. Power Dissipation  
Operating Temperature  
Storage Temperature  
Isolation Voltage  
PC  
Tj  
Tstg  
Vis  
Mounting *1  
Terminals *2  
780  
W
°C  
°C  
V
+150  
-40 ~ +125  
2500  
3.5  
A.C. 1min.  
Nm  
Screw Torque  
4.5  
Note: *1:Recommendable Value; 2.5 ~ 3.5 Nm (M5) or (M6)  
*2:Recommendable Value; 3.5 ~ 4.5 Nm (M6)  
• Electrical Characteristics ( at Tj=25°C )  
Items  
Zero Gate Voltage Collector Current  
Gate-Emitter Leackage Current  
Gate-Emitter Threshold Voltage  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Input capacitance  
Symbols  
ICES  
IGES  
VGE(th)  
VCE(sat)  
Cies  
Coes  
Cres  
tON  
tr  
tOFF  
tf  
VF  
trr  
Test Conditions  
VGE=0V VCE=1200V  
VCE=0V VGE=± 20V  
VGE=20V IC=100mA  
VGE=15V IC=100A  
VGE=0V  
VCE=10V  
f=1MHz  
VCC=600V  
IC=100A  
Min.  
Typ.  
Max.  
2.0  
30  
7.5  
3.3  
Units  
mA  
µA  
V
4.5  
V
16000  
5800  
5160  
0.65  
0.25  
0.85  
Output capacitance  
Reverse Transfer capacitance  
pF  
1.2  
0.6  
1.5  
0.5  
3.0  
350  
Turn-on Time  
Turn-off Time  
µs  
VGE=± 15V  
RG=9.1W  
IF=100A VGE=0V  
IF=100A  
0.35  
Diode Forward On-Voltage  
Reverse Recovery Time  
V
ns  
• Thermal Characteristics  
Items  
Symbols  
Rth(j-c)  
Rth(j-c)  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.16  
0.33  
Units  
IGBT  
Thermal Resistance  
Diode  
°C/W  
Rth(c-f)  
With Thermal Compound  
0.025  
1234

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