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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 150 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 7 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 690 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 450 ns | 标称接通时间 (ton)： | 350 ns |
| VCEsat-Max： | 2.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2MBI100SC-120 | FUJI |
获取价格 |
1200V / 100A 2 in one-package |
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| 2MBI100U4A-120 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE |
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| 2MBI100U4A-120-50 | FUJI |
获取价格 |
2-Pack(2 in 1) M232 |
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| 2MBI100U4H-170 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE |
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| 2MBI100UA-120 | ETC |
获取价格 |
IGBTs |
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| 2MBI100VA-060-50 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE (V series) 600V / 100A / 2 in one package |
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| 2MBI100VA-120-50 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE (V series) 1200V / 100A / 2 in one package |
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| 2MBI100VA-170-50 | FUJI |
获取价格 |
2-Pack(2 in 1) M263 |
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| 2MBI100XAA120-50 | FUJI |
获取价格 |
2-Pack(2 in 1) |
|
| 2MBI100XAA170-50 | FUJI |
获取价格 |
2-Pack(2 in 1) M263 |
|
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