2FAG-M12R

更新时间： 2024-01-01 03:43:59

品牌	Logo	应用领域
伯恩斯 - BOURNS		数据线路滤波器过滤器 LTE
页数	文件大小	规格书
3页	275K
描述
Integrated Passive & Active Devices

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2FAG-M12R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8504.50.80.00	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	认证：	IEC
电容：	20 µF	最大直流电阻：	120 Ω
滤波器类型：	DATA LINE FILTER	高度：	0.84 mm
JESD-609代码：	e3	长度：	3 mm
安装类型：	SURFACE MOUNT	功能数量：	6
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
包装方法：	TAPE AND REEL	物理尺寸：	L3.0XB1.4XH0.84 (mm)/L0.118XB0.055XH0.033 (inch)
端子面层：	Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

2FAG-M12R 数据手册

Features

Applications

■ Lead free as standard

■ RoHS compliant*

■ ESD protection >25 kV

■ Protects up to 6 lines

■ Bidirectional EMI filtering

■ DFN-12 package

■ Cell phones

■ PDAs and notebooks

■ GPS and SMART cards

■ Color LCD display panel

2FAG-M12R Integrated Passive & Active Devices

General Information

FOR EACH LINE

The 2FAG-M12R device, manufactured using Thin Film on

Silicon technology, provides ESD protection for the external

ports of portable electronic devices such as cell phones,

notebooks and PDAs.

100 OHM

INT1~6

EXT1~6

The ESD protection provided by the component enables a data

port to withstand a minimum ±± ꢀK ꢁontact ꢂ ±1ꢃ ꢀK Air

Discharge per the ESD test method specified in IEꢁ 61000-4-2.

The device measures 3 mm x 1.4 mm and can be mounted

directly onto an FR4 printed circuit board. The device meets

typical thermal cycle and bend test specifications without the

use of an underfill material.

10 pF

GND

Electrical Characteristics (@ T = 25 °C Unless Otherwise Noted)

Parameter

Symbol

Min.

±0

Nom.

100

Max.

Unit

Ω

Resistance

ꢁ

120

ꢃ

ꢁapacitance @ 2.ꢃ K, 1 MHz

Rated Standoff Koltage

Breakdown Koltage @ 1 mA

Forward Koltage @ 10 mA

Leakage ꢁurrent @ 3 K

KWM

KBR

0.±

0.1

µA

ESD Protection: IEꢁ 61000-4-2

ꢁontact Discharge

±±

±1ꢃ

Air Discharge

Frequency:

Attenuation @ ±00-3000 MHz

ꢁut-off (ꢃ0 Ω IꢂO) Zero Bias

fꢁ

2ꢃ

3ꢃ

1ꢃ0

MHz

Dꢁ Power per Resistor

100

Thermal Characteristics (@ T = 25 °C Unless Otherwise Noted)

Parameter

Symbol

Min.

-40

Nom.

+2ꢃ

Max.

+±ꢃ

Unit

°ꢁ

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

TSTG

-ꢃꢃ

+2ꢃ

+1ꢃ0

°ꢁ

*RoHS Directive 2002/95/EC Jan 27 2003, including Annex

Specifications are subject to change without notice.

Customers should verify actual device performance in their specific applications.

12 3

中文翻译

下载PDF

与2FAG-M12R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2FAG-M12R_07	BOURNS	获取价格	Integrated Passive & Active Devices
2FAH-C20R	BOURNS	获取价格	Integrated Passive & Active Device using CSP
2FAH-C20RLF	BOURNS	获取价格	Integrated Passive & Active Device using CSP
2FAH-NHSP-C00-9	AMPHENOL	获取价格	RF Connector, 2 Contact(s), Plug
2FAH-NKSP-C00-9	AMPHENOL	获取价格	RF Connector, 2 Contact(s), Plug
2FAH-NLSP-C00-9	AMPHENOL	获取价格	RF Connector, 2 Contact(s), Plug
2FAI-M16R	BOURNS	获取价格	Integrated Passive & Active Device using MLP
2FAJ-M16R	BOURNS	获取价格	Integrated Passive & Active Device using MLP
2FAK-C15R	BOURNS	获取价格	Integrated Passive & Active Device using CSP
2FAK-C15RLF	BOURNS	获取价格	Integrated Passive & Active Device using CSP

与2FAG-M12R相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

15
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

13
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

13
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

16

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2FAG-M12R

2FAG-M12R 技术参数

2FAG-M12R 数据手册

与2FAG-M12R相关器件

与2FAG-M12R相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2FAG-M12R

2FAG-M12R 技术参数

2FAG-M12R 数据手册

与2FAG-M12R相关器件

与2FAG-M12R相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？