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2FAP-M12R PDF预览

2FAP-M12R

更新时间： 2024-11-16 21:11:51
品牌 Logo 应用领域
伯恩斯 - BOURNS 光电二极管商用集成电路
页数 文件大小 规格书
3页 293K
描述
Consumer Circuit, PDSO12, 3 X 1.40 MM, ROHS COMPLIANT, DFN-12

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2FAP-M12R 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DFN包装说明：HVSON,
针数：12Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.84
商用集成电路类型：CONSUMER CIRCUITJESD-30 代码：R-PDSO-N12
JESD-609代码：e3长度：3 mm
功能数量：1端子数量：12
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：HVSON
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：0.84 mm表面贴装：YES
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：1.4 mmBase Number Matches：1

2FAP-M12R 数据手册

 浏览型号2FAP-M12R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2FAP-M12R的Datasheet PDF文件第3页 
Features  
Applications  
■ Lead free as standard  
■ RoHS compliant*  
■ ESD protection >25 kV  
■ Protects up to 6 lines  
■ Bidirectional EMI filtering  
■ DFN-12 package  
■ Cell phones  
■ PDAs and notebooks  
■ GPS and SMART cards  
■ Color LCD display panel  
2FAP-M12R Integrated Passive & Active Devices  
General Information  
FOR EACH LINE  
The 2FAP-M12R device, manufactured using Thin Film on  
Silicon technology, provides ESD protection for the external  
ports of portable electronic devices such as cell phones,  
notebooks and PDAs.  
100 OHM  
INT1~6  
EXT1~6  
The ESD protection provided by the component enables a data  
port to withstand a minimum ±± ꢀK ꢁontact ꢂ ±1ꢃ ꢀK Air  
Discharge per the ESD test method specified in IEꢁ 61000-4-2.  
The device measures 3 mm x 1.4 mm and can be mounted  
directly onto an FR4 printed circuit board. The device meets  
typical thermal cycle and bend test specifications without the  
use of an underfill material.  
7.5 pF  
7.5 pF  
GND  
Electrical Characteristics (@ T = 25 °C Unless Otherwise Noted)  
A
Parameter  
Symbol  
in.  
Nom.  
100  
1ꢃ  
Max.  
Unit  
Ω
Resistance  
R
120  
1±  
ꢃ
ꢁapacitance @ 2.ꢃ K, 1 MHz  
Rated Standoff Koltage  
Breakdown Koltage @ 1 mA  
Forward Koltage @ 10 mA  
Leakage ꢁurrent @ 3 K  
12  
pF  
K
KWM  
KBR  
KF  
6
K
0.±  
K
ID  
0.1  
µA  
ESD Protection: IEꢁ 61000-4-2  
ꢁontact Discharge  
±±  
±1ꢃ  
kK  
kK  
Air Discharge  
Frequency:  
Attenuation @ ±00-3000 MHz  
ꢁut-off (ꢃ0 Ω IꢂO) Zero Bias  
fꢁ  
2ꢃ  
3ꢃ  
220  
db  
MHz  
Dꢁ Power per Resistor  
P
100  
mW  
Thermal Characteristics (@ T = 25 °C Unless Otherwise Noted)  
A
Parameter  
Symbol  
TJ  
Min.  
-40  
Nom.  
+2ꢃ  
Max.  
+±ꢃ  
Unit  
°ꢁ  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
TSTG  
-ꢃꢃ  
+2ꢃ  
+1ꢃ0  
°ꢁ  
*RoHS Directive 2002/95/EC Jan 27 2003, including Annex  
Specifications are subject to change without notice.  
Customers should verify actual device performance in their specific applications.  
123

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