2SD1163A

更新时间： 2024-02-21 20:47:00

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日立 - HITACHI		晶体晶体管功率双极晶体管局域网
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6页	35K
描述
Silicon NPN Triple Diffused

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2SD1163A 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.44	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	7 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	25	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SD1163A 数据手册

2SD1163, 2SD1163A

Maximum Collector Dissipation

Curve

Area of Safe Operation

(40 V, 20 A)

1.0

(120 V, 0.9 A)

(150 V, 0.5 A)

0.3

2SD1163

2SD1163A

0.01

(350 V, 5 mA)

100

300

1,000

100

150

Collector to emitter voltage V_CE(V)

Case temperature T_C(°C)

DC Current Transfer Ratio

vs. Collector Current

Typical Output Characteristics

T_C= 25°C

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

500

V_CE= 5 V

200

100

T_C= 75°C

25°C

–25°C

2 mA

I_B= 0

0.1 0.2

0.5 1.0

Collector to emitter voltage V_CE(V)

Collector current I_C(A)

1 234 5 6

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