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2SD1163A

更新时间: 2024-01-17 02:20:18
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日立 - HITACHI 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
6页 35K
描述
Silicon NPN Triple Diffused

2SD1163A 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.44Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):7 A
集电极-发射极最大电压:150 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):25JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SD1163A 数据手册

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2SD1163, 2SD1163A  
Silicon NPN Triple Diffused  
Application  
TV horizontal deflection output  
Outline  
TO-220AB  
1. Base  
2. Collector  
(Flange)  
3. Emitter  
1
2
3

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