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2SC4543

更新时间： 2025-07-29 06:23:59

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Silicon NPN Epitaxial Planar Type

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2SC4543 数据手册

SMD Type

Transistors

Silicon NPN Epitaxial Planar Type

2SC4543

Features

High transition frequency fT

Small collector output capacitance cob

Wide current range.

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Peak collector current

Collector current

Symbol

V^CBO

V^{CER *}

V^CEO

V^EBO

I^CP

Rating

110

Unit

V

100

V

50

V

3.5

V

300

mA

mA

W

I^C

150

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

* REB=1.2KÙ

P^C

1.0

T^j

150

Tstg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Testconditons

VCE = 35 V, IB = 0

Min

Typ

Max

10

Unit

ìA

V

Collector cutoff current

Collector-base voltage

I^CEO

V^CBO

V^CER

V^CEO

V^EBO

h^FE

IC = 100 ìA, IE = 0

IC = 500 ìA, RBE = 470Ù

IC = 1 mA, IB = 0

110

100

50

Collector-emitter voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

V

V

IE = 100 ìA, IC = 0

VCE = 5 V, IC = 100 mA

3.5

20

V

Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

?

V^CE(sat)IC = 150 mA, IB = 15 mA

0.5

V

f^T1

f^T2

VCB = 10 V, IE = -10 mA, f = 200 MHz

VCB = 10 V, IE = -110 mA, f = 200 MHz

VCB = 30 V, IE = 0, f = 1 MHz

300

350

3

MHz

MHz

pF

Transition frequency

Collector output capacitance

* R^EB=1.2KÙ

C^ob

Marking

Marking

1F

www.kexin.com.cn

1

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