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24FC1026T-E/SN PDF预览

24FC1026T-E/SN

更新时间： 2024-09-15 20:08:55
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
32页 685K
描述
I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM

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24FC1026T-E/SN 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SOIC-8Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.44最大时钟频率 (fCLK)：1 MHz
数据保留时间-最小值：200耐久性：1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节：1010DDMRJESD-30 代码：R-PDSO-G8
长度：4.9 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：8
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：SERIAL
反向引出线：NO座面最大高度：1.75 mm
串行总线类型：I2C最大待机电流：0.000005 A
最大压摆率：0.005 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL宽度：3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 ms写保护：HARDWARE
Base Number Matches：1

24FC1026T-E/SN 数据手册

 浏览型号24FC1026T-E/SN的Datasheet PDF文件第2页浏览型号24FC1026T-E/SN的Datasheet PDF文件第3页浏览型号24FC1026T-E/SN的Datasheet PDF文件第4页浏览型号24FC1026T-E/SN的Datasheet PDF文件第5页浏览型号24FC1026T-E/SN的Datasheet PDF文件第6页浏览型号24FC1026T-E/SN的Datasheet PDF文件第7页 
24AA1026/24LC1026/24FC1026  
1024K I2C™ Serial EEPROM  
This device is capable of both random and sequential  
reads. Reads may be sequential within address  
Device Selection Table:  
Part  
Number  
VCC  
Range  
Max. Clock  
Frequency  
Temp.  
Ranges  
boundaries 0000h to FFFFh and 10000h to 1FFFFh.  
Functional address lines allow up to four devices on the  
same data bus. This allows for up to 4 Mbits total  
system EEPROM memory. This device is available in  
the standard 8-pin PDIP, SOIC, SOIJ and TSSOP  
packages.  
24AA1026  
24LC1026  
24FC1026  
1.7-5.5V  
2.5-5.5V  
1.8-5.5V  
400 kHz†  
400 kHz*  
1 MHz‡  
I
I, E  
I
†100 kHz for VCC < 2.5V  
*100 kHz for VCC <4.5V, E-temp  
Package Type  
‡400 kHz for VCC < 2.5V  
PDIP  
NC  
1
8
VCC  
Features:  
A1  
A2  
2
3
4
7
6
5
WP  
• Low-Power CMOS Technology:  
- Read current 450 A, maximum  
- Standby current 5 A, maximum  
• 2-Wire Serial Interface, I2C™ Compatible  
• Cascadable up to Four Devices  
SCL  
SDA  
VSS  
SOIJ/SOIC/TSSOP  
• Schmitt Trigger Inputs for Noise Suppression  
• Output Slope Control to Eliminate Ground Bounce  
• 100 kHz and 400 kHz Clock Compatibility  
• 1 MHz Clock for FC Versions  
1
8
7
NC  
VCC  
2
A1  
WP  
3
6
5
A2  
SCL  
SDA  
• Page Write Time 3 ms, typical  
• Self-Timed Erase/Write Cycle  
4
VSS  
• 128-Byte Page Write Buffer  
• Hardware Write-Protect  
Block Diagram  
• ESD Protection >4000V  
• More than 1 Million Erase/Write Cycles  
• Data Retention >200 Years  
A1A2 WP  
HV Generator  
• Factory Programming Available  
• Packages include 8-lead PDIP, SOIJ, SOIC and  
TSSOP  
I/O  
Control  
Logic  
Memory  
Control  
Logic  
EEPROM  
Array  
XDEC  
• RoHS Compliant  
Page Latches  
• Temperature Ranges:  
- Industrial (I):  
-40C to +85C  
I/O  
SCL  
- Automotive (E): -40C to +125C  
YDEC  
SDA  
Description:  
V
CC  
The Microchip Technology Inc. 24AA1026/24LC1026/  
24FC1026 (24XX1026*) is a 128K x 8 (1024K bit)  
Serial Electrically Erasable PROM, capable of  
operation across a broad voltage range (1.7V to 5.5V).  
It has been developed for advanced, low-power  
applications such as personal communications or data  
acquisition. This device has both byte write and page  
write capability of up to 128 bytes of data.  
Sense AMP  
R/W Control  
VSS  
*24XX1026 is used in this document as a generic part number  
for the 24AA1026/24LC1026/24FC1026 devices.  
2011-2013 Microchip Technology Inc.  
DS20002270D-page 1  
1234567...32

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
24FC1026TI/P MICROCHIP

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 		1024K I2C�� Serial EEPROM
24FC1026TI/SM MICROCHIP

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 		1024K I2C�� Serial EEPROM
24FC1026TI/SN MICROCHIP

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 		1024K I2C�� Serial EEPROM
24FC128 MICROCHIP

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 		128K I2C CMOS Serial EEPROM
24FC128/SN MICROCHIP

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 		16K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8
24FC128/ST MICROCHIP

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 		16K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO14, TSSOP-14
24FC128-E/CS15K MICROCHIP

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