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1SS356FHTW11

更新时间： 2024-10-30 14:39:11

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	129K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 35V V(RRM),

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1SS356FHTW11 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	7.95
配置：	SINGLE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	元件数量：	1
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.1 A
最大重复峰值反向电压：	35 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

1SS356FHTW11 数据手册

Band Switching Diode

1SS356

Applications

Dimensions (Unit : mm)

Land size figure (Unit : mm)

High frequency switching

1.25±0.1

0.1±0.1

ꢀꢀꢀ 0.05

0.9MIN.

Features

1)Ultra small mold type. (UMD2)

2)High reliability

UMD2

Construction

0.7±0.2

ꢀꢀꢀ 0.1

Silicon epitaxial planar

Structure

0.3±0.05

ROHM : UMD2

JEDEC : SOD-323

JEITA : SC-90/A

dot (year week factory)

Taping specifications (Unit : mm)

φ1.55±0.05

0.3±0.1

2.0±0.05

4.0±0.1

φ1.05

1.40±0.1

1.0±0.1

Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Forward current (DC)

Reverse voltage (DC)

Junction temperature

Storage temperature

Limits

Symbol

I_F

Unit

100

V_R

125

°C

55 to 125

Tstg

°C

Electrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Symbol

Min.

Typ.

Max.

1.0

Unit

Conditions

V_F

I_R

I_F=10mA

V_R=25V

Reverse current

Ω

Capacitance between terminals

Forward operating resistance

V_R=6V , f=1MHz

I_F=2mA , f=100MHz

1.2

0.9

www.rohm.com

2011.08 - Rev.D

1/3

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