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1SS357(TH3MAA,F)

更新时间： 2024-11-19 09:33:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 207K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 45V V(RRM), Silicon

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1SS357(TH3MAA,F) 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.65
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.2 W
最大重复峰值反向电压：45 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：GULL WING
端子位置：DUALBase Number Matches：1

1SS357(TH3MAA,F) 数据手册

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1SS357  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type  
1SS357  
Low Voltage High Speed Switching  
Unit: mm  
z Low forward voltage  
z Low reverse current  
z Small package  
: V  
= 0.54V (typ.)  
F (3)  
: I = 5μA (max)  
R
: SC-70  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
45  
40  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10ms)  
I
300  
mA  
mA  
A
FM  
I
100  
O
I
1
FSM  
P
Power dissipation  
200*  
125  
mW  
°C  
°C  
Junction temperature  
T
j
Storage temperature range  
T
−55 to 125  
stg  
JEDEC  
―
―
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
JEITA  
TOSHIBA  
1-1E1A  
Weight: 0.004g (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
*
Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 × 20mm,  
pad dimension of 4 × 4mm.  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 1mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
―
―
―
―
―
I
I
I
―
―
―
―
―
0.28  
0.36  
0.54  
―
―
―
F (1)  
F (2)  
F (3)  
R (1)  
F
F
F
Forward voltage  
= 10mA  
= 100mA  
0.60  
5
Reverse current  
I
V
V
= 40V  
μA  
R
R
Total capacitance  
C
T
= 0, f = 1MH  
18  
25  
pF  
z
Pin Assignment (Top View)  
Marking  
Start of commercial production  
1990-01  
1
2014-03-01  
123

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与1SS357(TH3MAA,F)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS357(TH3PAS,F) TOSHIBA

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 		Rectifier Diode
1SS357(TH3PEV,F) TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 45V V(RRM), Silicon
1SS357(TH3PEW,F) TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 45V V(RRM), Silicon
1SS357(TPH3,F) TOSHIBA

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1SS357TPHR2 TOSHIBA

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1SS358 TYSEMI

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 		Small interterminal capacitance Low forward voltage and excellent detection efficiency

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