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1SS360TE85R

更新时间： 2024-10-30 15:24:39
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 快速恢复二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 217K
描述
DIODE 0.1 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

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1SS360TE85R 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.7
应用：FAST RECOVERY配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.2 VJESD-30 代码：R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流：2 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.1 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：85 V
最大反向电流：0.5 µA最大反向恢复时间：0.004 µs
反向测试电压：80 V表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

1SS360TE85R 数据手册

 浏览型号1SS360TE85R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1SS360TE85R的Datasheet PDF文件第3页 
1SS360  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
1SS360  
Ultra High Speed Switching Application  
Unit: mm  
z Small package  
z Low forward voltage  
: V = 0.92V (typ.)  
F
z Fast reverse recovery time: t = 1.6ns (typ.)  
rr  
z Small total capacitance  
: C = 2.2pF (typ.)  
T
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
85  
80  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10ms)  
Power dissipation  
I
300 *  
100 *  
2 *  
mA  
mA  
A
FM  
I
O
I
FSM  
P
100  
mW  
°C  
°C  
Junction temperature  
T
125  
j
JEDEC  
―
―
Storage temperature  
T
−55∼125  
stg  
JEITA  
TOSHIBA  
1-2S1A  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
Weight: 2.4mg (typ.)  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating  
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
* Unit rating. Total rating = unit rating × 1.5  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 1mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
―
I
I
I
―
―
―
―
―
―
―
0.61  
0.74  
0.92  
―
―
―
F (1)  
F (2)  
F (3)  
R (1)  
R (2)  
F
F
F
Forward voltage  
―
= 10mA  
―
= 100mA  
1.20  
0.1  
0.5  
4.0  
4.0  
I
I
―
V
V
V
= 30V  
R
R
R
Reverse current  
μA  
―
= 80V  
―
Total capacitance  
C
T
―
= 0, f = 1MH  
2.2  
1.6  
pF  
ns  
z
Reverse recovery time  
t
―
I = 10mA, Fig.1  
F
rr  
Marking  
1
2007-11-01  
123

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与1SS360TE85R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS361 TOSHIBA

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 		DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION)
1SS361(T5L,F,T) TOSHIBA

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 		Diode Switching 85V 0.1A 3-Pin SSM T/R
1SS361(T5L,PP,F) TOSHIBA

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 		Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 85V V(RRM), Silicon
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 		Diode Switching 85V 0.1A 3-Pin SSM T/R
1SS361,LJ(CT TOSHIBA

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 		暂无描述
1SS361_07 TOSHIBA

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 		Ultra High Speed Switching Application

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