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1SS356TW11

更新时间： 2024-09-13 12:52:07

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力特 - LITTELFUSE		二极管开关光电二极管
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Band Switching Diode

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1SS356TW11 数据手册

Band Switching Diode

1SS356

Applications

Dimensions (Unit : mm)

Land size figure (Unit : mm)

High frequency switching

1.25±0.1

0.1±0.1

ꢀꢀꢀ 0.05

0.9MIN.

Features

1)Ultra small mold type. (UMD2)

2)High reliability

UMD2

Construction

0.7±0.2

ꢀꢀꢀ 0.1

Silicon epitaxial planar

Structure

0.3±0.05

ROHM : UMD2

JEDEC : SOD-323

JEITA : SC-90/A

dot (year week factory)

Taping specifications (Unit : mm)

φ1.55±0.05

0.3±0.1

2.0±0.05

4.0±0.1

φ1.05

1.40±0.1

1.0±0.1

Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Forward current (DC)

Reverse voltage (DC)

Junction temperature

Storage temperature

Limits

Symbol

I_F

Unit

100

V_R

125

°C

55 to 125

Tstg

°C

Electrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Forward voltage

Symbol

Min.

Typ.

Max.

1.0

Unit

Conditions

V_F

I_R

I_F=10mA

V_R=25V

Reverse current

Ω

Capacitance between terminals

Forward operating resistance

V_R=6V , f=1MHz

I_F=2mA , f=100MHz

1.2

0.9

www.rohm.com

2011.08 - Rev.D

1/3

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