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1PS59SB21T/R

更新时间: 2024-11-08 12:59:51
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 整流二极管肖特基二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 51K
描述
DIODE SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236, Signal Diode

1PS59SB21T/R 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84Is Samacsys:N
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:TO-236
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1PS59SB21T/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
age  
1PS59SB21  
Schottky barrier diode  
1999 May 05  
Product specification  
Supersedes data of 1998 Jul 28  

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