1PS66SB63

更新时间： 2024-09-20 22:10:15

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恩智浦 - NXP		微波混频二极管光电二极管
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10页	52K
描述
5 V, 20 mA low Cd Schottky barrier diodes

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1PS66SB63 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
配置：	SEPARATE, 3 ELEMENTS	最大二极管电容：	0.5 pF
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	元件数量：	3
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

1PS66SB63 数据手册

1PS66SB63; 1PS79SB63

5 V, 20 mA low C_dSchottky barrier diodes

Rev. 02 — 3 December 2004

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

Planar low capacitance Schottky barrier diodes encapsulated in ultra small SMD plastic

packages.

Table 1:

Product overview

Type number

Package

Philips

Conﬁguration

JEITA

1PS66SB63

1PS79SB63

SOT666

SOD523

triple isolated diode

single diode

SC-79

1.2 Features

■ Very low diode capacitance

■ Very low forward voltage

■ Ultra small SMD plastic packages.

1.3 Applications

■ Digital applications:

◆ Ultra high-speed switching

◆ Clamping circuits.

■ RF applications:

◆ Diode ring mixer

◆ RF detector

◆ RF voltage doubler.

1.4 Quick reference data

Table 2:

Symbol

I_F

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

continuous forward current

continuous reverse voltage

diode capacitance

V_R

C_d

V_R= 0 V;

0.35

0.5

f = 1 MHz;

see Figure 3

12 3 4 5 6 7...10

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