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1N914

更新时间： 2024-11-20 12:50:03
品牌 Logo 应用领域
强茂 - PANJIT 二极管开关
页数 文件大小 规格书
2页 65K
描述
SWITCHING DIODES

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1N914 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-35
包装说明：ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.06
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-35
JESD-30 代码：O-LALF-W2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：0.075 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：0.5 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向恢复时间：0.004 µs表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1N914 数据手册

 浏览型号1N914的Datasheet PDF文件第2页 
1N914  
SWITCHING DIODES  
VOLTAGE  
100 Volts  
POWER  
500 mWatts  
FEATURES  
• Fast switching Speed.  
• Electrically ldentical to Standerd JEDEC  
• High Conductance  
• Axial lead Package ldeally Suited for Automatic lnsertion.  
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives  
MECHANICALDATA  
• Case: Molded Glass DO-35  
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
• Polarity: See Diagram Below  
• Approx. Weight: 0.012 grams  
• Mounting Position: Any  
• Packing information  
B
- 2K per Bulk box  
T/R - 10K per 13" plastic Reel  
T/B - 5K per horiz. tape & Ammo box  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ =25°C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
Reverse Voltage  
SYMBOL  
VR  
1N914  
75  
UNITS  
V
Peak Reverse Voltage  
VRM  
100  
50  
V
RMS Voltage  
VRMS  
IF(AV)  
IFSM  
V
Maximum Average Forward Current at TA=25OC And f > 50Hz  
Surge Forward Current at t < 1s and TJ=25 OC  
Power Dissipation at Tamb= 25 OC  
Maximum Forward Voltage at IF =10mA  
75  
mA  
mA  
mW  
V
500  
500  
1.0  
PTOT  
VF  
Maximum Leakage Current  
at VR=20V  
nA  
µA  
µA  
25  
5
50  
IR  
at VR=75V  
at VR=20V ,T  
J
= 150 OC  
Maximum Capacitance (Note 1)  
CJ  
trr  
4
4
pF  
ns  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)  
Typical Thermal Resistance  
RθJA  
350  
OC / W  
OC  
Junction Temperature and Storage Temperature Range  
TJ,Ts  
-65 to +175  
NOTE:  
1. CJ at VR=0, f=1MHZ  
2. From IF=10mA to IR=1mA, VR=6Volts, RL=100Ω  
STAD-FEB.06.2009  
PAGE . 1  
12

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1N914 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N914-TP MCC

功能相似

 Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
JAN1N914 MICROSEMI

功能相似

 SWITCHING DIODE

与1N914相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N914(A)(B) MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-35,
1N914.T50A FAIRCHILD

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
1N914.T50R FAIRCHILD

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
1N914.TR FAIRCHILD

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 		0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1N914.TR TI

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 		0.2A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1N914/A52R ETC

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 		DIODE KLEINSIGNAL
1N914/F2 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.075A, 100V V(RRM), Silicon, DO-204AH, GLASS, DO-35, 2 PIN
1N914/F3 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.075A, 100V V(RRM), Silicon, DO-204AH, GLASS, DO-35, 2 PIN
1N914_1 MICROSEMI

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 		SWITCHING DIODE
1N914_11 MCC

获取价格

 		500mW 100 Volt Silicon Epitaxial Diodes

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