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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1N914(A)(B)
1N914(A)(B) PDF预览

1N914(A)(B)

更新时间： 2024-11-20 12:58:51
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管开关
页数 文件大小 规格书
1页 101K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-35,

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1N914(A)(B) 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active包装说明：O-PALF-W2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.32
Is Samacsys：N其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-35JESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最大输出电流：0.15 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.5 W认证状态：Not Qualified
最大反向恢复时间：0.004 µs表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1N914(A)(B) 数据手册

  
FEATURES  
•
•
•
•
•
1N914 AVAILABLE IN JAN, JANTX, AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/116  
SWITCHING DIODE  
METALLURGICALLY BONDED  
HERMETICALLY SEALED  
DOUBLE PLUG CONSTRUCTION  
1N914  
MAXIMUM RATINGS AT 25 °C  
Operating Temperature:  
Storage Temperature:  
Surge Current A, sine 8.3mS:  
Surge Current B, square 8.3mS:  
Total Power Dissipation:  
Operating Current:  
-65°C to +175°C  
-65°C to +200°C  
1.0A  
0.704A  
500mW  
75mA, TA= +25°C  
Derating Factor:  
D.C. Reverse Voltage (VRWM):  
0.5mA/°C above TA= +25°C  
75V  
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
VF IR  
VBR  
Ambient  
Ambient  
Ambient  
IF  
Min Max  
Min Max  
IR  
Min Max  
mA  
10  
50  
10  
50  
V
V
V (dc) µA  
µA  
µA  
V
V
(°C)  
(°C)  
(°C)  
25  
25  
150  
-55  
-
-
-
-
0.8  
1.2  
0.8  
1.3  
25  
25  
150  
150  
20  
75  
20  
75  
-
-
-
-
0.025  
0.500  
35.0  
75.0  
25  
100 100  
-
DESIGN DATA  
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS AT 25°C  
Symbol  
pF  
Min  
Max  
4
Case: Hermetically sealed glass package per MIL-  
PRF-19500/116 DO-35 outline  
Lead Material: Copper clad steel  
Lead Finish: Tin/Lead  
Thermal Resistance (RθJL): 250°C/W maximum  
at L=.375”  
Thermal Impedance (ZθJX): 70°C/W maximum  
Marking: Alpha numeric.  
Capacitance @ 0V  
-
-
Capacitance @ 1.5V  
TRR @ IF =IR=10mA,  
pF  
2.8  
nsec  
-
5
IRec = 1mA.  
TFR @ IF = 50mA  
nsec  
-
-
20  
5
V(pk)  
VFR @ IF = 50mA  
Polarity: Cathode end is banded.  
IRELAND - GORT ROAD, ENNIS, CO. CLARE  
PHONE:  
TOLL FREE:  
FAX:  
+353 65 6840044  
+186 62 702434  
+353 65 6822298  
WWW.MICROSEMI.COM  
U.S.A. DOMESTIC SALES CONTACT  
PHONE:  
(617) 926 0404  
1 800 666 2999  
TOLL FREE:  
1

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与1N914(A)(B)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N914.T50A FAIRCHILD

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
1N914.T50R FAIRCHILD

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
1N914.TR FAIRCHILD

获取价格

 		0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1N914.TR TI

获取价格

 		0.2A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1N914/A52R ETC

获取价格

 		DIODE KLEINSIGNAL
1N914/F2 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.075A, 100V V(RRM), Silicon, DO-204AH, GLASS, DO-35, 2 PIN
1N914/F3 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.075A, 100V V(RRM), Silicon, DO-204AH, GLASS, DO-35, 2 PIN
1N914_1 MICROSEMI

获取价格

 		SWITCHING DIODE
1N914_11 MCC

获取价格

 		500mW 100 Volt Silicon Epitaxial Diodes
1N914_12 VISHAY

获取价格

 		Fast Switching Diodes

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