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1N825A PDF预览

1N825A

更新时间： 2024-09-12 22:37:43
品牌 Logo 应用领域
CDI-DIODE 二极管齐纳二极管温度补偿
页数 文件大小 规格书
2页 101K
描述
TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES

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1N825A 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：O-LALF-W2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：8.28
其他特性：METALLURGICALLY BONDED外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODEJEDEC-95代码：DO-35
JESD-30 代码：O-LALF-W2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM最大功率耗散：0.5 W
认证状态：Not Qualified标称参考电压：6.2 V
表面贴装：NO技术：ZENER
端子面层：TIN LEAD端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL电压温度Coeff-Max：0.124 mV/ °C
最大电压容差：4.84%Base Number Matches：1

1N825A 数据手册

 浏览型号1N825A的Datasheet PDF文件第2页 
1N821 thru 1N829A  
and  
• 1N821-1,1N823-1,1N825-1,1N827-1 AND 1N829-1 AVAILABLE IN JAN  
,
JANTX, JANTXV  
AND JANS PER MIL-PRF-19500/159  
1N821-1 thru 1N829-1  
• TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES  
• METALLURGICALLY BONDED  
• DOUBLE PLUG CONSTRUCTION  
MAXIMUM RATINGS  
Operating Temperature: -65°C to +175°C  
Storage Temperature: -65°C to +175°C  
DC Power Dissipation: 500mW @ +50°C  
Power Derating: 4 mW / °C above +50°C  
REVERSE LEAKAGE CURRENT  
lR = 2µA @ 25°C & VR = 3 Vdc  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified.  
JEDEC  
TYPE  
NUMBER  
ZENER  
VOLTAGE  
ZENER  
TEST  
CURRENT  
MAXIMUM  
ZENER  
IMPEDANCE  
(Note 1)  
VOLTAGE  
TEMPERATURE  
STABILITY  
EFFECTIVE  
TEMPERATURE  
COEFFICIENT  
v
@ I  
I
∆V  
z
ZT  
ZT  
ZT  
Z
-55° to +100°  
ZT  
FIGURE 1  
(Note 2)  
VOLTS  
mA  
OHMS  
mV  
% / °C  
1N821  
1N821A  
1N822 †  
5.9—6.5  
5.9—6.5  
5.9—6.5  
7.5  
7.5  
7.5  
15  
10  
15  
96  
96  
96  
0.01  
0.01  
0.01  
DESIGN DATA  
1N823  
1N823A  
1N824 †  
5.9—6.5  
5.9—6.5  
5.9—6.5  
7.5  
7.5  
7.5  
15  
10  
15  
48  
48  
48  
0.005  
0.005  
0.005  
CASE: Hermetically sealed glass  
1N825  
1N825A  
1N826  
5.9—6.5  
5.9—6.5  
6.2—6.9  
7.5  
7.5  
7.5  
15  
10  
15  
19  
19  
20  
0.002  
0.002  
0.002  
case. DO – 35 outline.  
LEAD MATERIAL: Copper clad steel.  
LEAD FINISH: Tin / Lead  
1N827  
1N827A  
1N828  
5.9—6.5  
5.9—6.5  
6.2—6.9  
7.5  
7.5  
7.5  
15  
10  
15  
9
9
10  
0.001  
0.001  
0.001  
POLARITY: Diode to be operated with  
the banded (cathode) end positive.  
1N829  
1N829A  
5.9—6.5  
5.9—6.5  
7.5  
7.5  
15  
10  
5
5
0.0005  
0.0005  
MOUNTING POSITION: Any.  
† Double Anode: Electrical Specifications Apply Under Both Bias Polarities.  
NOTE 1 Zener impedance is derived by superimposing on l A 60Hz rms a.c. current equal  
ZT  
to 10% of l  
.
ZT  
NOTE 2 The maximum allowable change observed over the entire temperature range i.e.,  
the diode voltage will not exceed the specified mV at any discrete temperature  
between the established limits, per JEDEC standard No. 5.  
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176  
PHONE (781) 665-1071  
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com  
FAX (781) 665-7379  
E-mail: mail@cdi-diodes.com  
12

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与1N825A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N825A(DO35) ETC

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 		0TC Reference Voltage Zener
1N825A1 MICROSEMI

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 		ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,6.2V V(Z),5%,DO-35
1N825A-1 MICROSEMI

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 		6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated
1N825A-1-1 MICROSEMI

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 		6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated
1N825A-1-1% MICROSEMI

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 		Zener Diode
1N825A116 NXP

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