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1N825ABK

更新时间: 2024-11-27 09:13:51
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CENTRAL 测试二极管
页数 文件大小 规格书
1页 29K
描述
Zener Diode, 6.2V V(Z), 0.5W, Silicon, DO-35, DO-35, 2 PIN

1N825ABK 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-35
包装说明:O-XALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.63
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:10 ΩJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-XALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:100 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:6.2 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL电压温度Coeff-Max:0.124 mV/ °C
工作测试电流:7.5 mABase Number Matches:1

1N825ABK 数据手册

  
Temperature Compensated Zener Diode  
POWER  
500 mW  
CASE  
DO-35 CASE  
ZENER  
TEST  
CURRENT  
MAXIMUM  
ZENER  
IMPEDANCE  
VOLTAGE  
TEMPERATURE  
STABILITY*  
TYPE  
NUMBER  
ZENER  
VOLTAGE  
TEMPERATURE  
COEFFICIENT**  
V
@ I  
I
Z
@ I  
V MAX  
Z
ZT  
ZT  
ZT  
ZT  
Z
VOLTS  
mA  
mV  
%/oC  
1N821A  
1N823A  
1N825A  
1N827A  
1N829A  
6.2  
7.5  
10  
10  
10  
10  
10  
96  
0.01  
6.2  
6.2  
6.2  
6.2  
7.5  
7.5  
7.5  
7.5  
48  
19  
0.005  
0.002  
0.001  
0.0005  
9.0  
5.0  
* The maximum Allowable change observed over the entire temperature range ( -55 to +100oC)  
** Typical Value  
(6-December 2004)  
www.centralsemi.com  

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