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1N825AT/R

更新时间: 2024-11-01 13:03:43
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 二极管测试
页数 文件大小 规格书
5页 33K
描述
DIODE 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Voltage Reference Diode

1N825AT/R 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-34
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.27
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-34JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:100 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:6.2 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
电压温度Coeff-Max:0.124 mV/ °C最大电压容差:5%
Base Number Matches:1

1N825AT/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
halfpage  
1N821 to 1N829  
1N821A to 1N829A  
Voltage reference diodes  
1996 Mar 20  
Product specification  
Supersedes data of March 1991  

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