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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-7 |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 1.78 |
| 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-204AA |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 6.2 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 电压温度Coeff-Max： | 0.124 mV/ °C |
| 最大电压容差： | 4.84% | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 1N825 | MICROSEMI |
完全替代  |
6.2 & 6.55 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
|
| 1N823 | MICROSEMI |
完全替代 |
6.2 & 6.55 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
|
| 1N829A | MICROSEMI |
完全替代 |
6.2 & 6.55 VOLT TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N825A(DO35) | ETC |
获取价格 |
0TC Reference Voltage Zener |
|
| 1N825A1 | MICROSEMI |
获取价格 |
ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,6.2V V(Z),5%,DO-35 |
|
| 1N825A-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
|
| 1N825A-1-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
|
| 1N825A-1-1% | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode |
|
| 1N825A116 | NXP |
获取价格 |
DIODE 6.2 V, SILICON, VOLTAGE REFERENCE DIODE, DO-34, Voltage Reference Diode |
|
| 1N825A-1-2 | MICROSEMI |
获取价格 |
6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated |
|
| 1N825A-1-2% | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode |
|
| 1N825A-1-2%E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode |
|
| 1N825A-1-3% | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode |
|
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