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1N6656Z

更新时间: 2024-09-15 14:46:07
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SSDI 超快速恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 426K
描述
Rectifier Diode,

1N6656Z 技术参数

生命周期:Active包装说明:S-XSFM-P3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.65应用:HYPER FAST RECOVERY
外壳连接:ISOLATED配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.2 VJEDEC-95代码:TO-254AA
JESD-30 代码:S-XSFM-P3最大非重复峰值正向电流:300 A
元件数量:2相数:1
端子数量:3最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:20 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:SQUARE
封装形式:FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压:200 V
最大反向电流:10 µA最大反向恢复时间:0.035 µs
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

1N6656Z 数据手册

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