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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BCY |
| 包装说明： | O-MBCY-W3 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.65 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 配置： | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | TO-205AF | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 80 A | 元件数量： | 2 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 1.2 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 45 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N6492-DA-JQRS | SEME-LAB |
获取价格 |
DUAL SCHOTTKY RECTIFIER |
|
| 1N6492-DC | SEME-LAB |
获取价格 |
DUAL SCHOTTKY RECTIFIER |
|
| 1N6492-JQRS | SEME-LAB |
获取价格 |
HERMETIC SCHOTTKY RECTIFIER |
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| 1N649A | NJSEMI |
获取价格 |
SILICON GENERAL PURPOSE DIODE |
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| 1N649BK | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 600V V(RRM), Silicon, DO-7 |
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| 1N649BKLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 600V V(RRM), Silicon, DO-7 |
|
| 1N649LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1N649M | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 600V V(RRM), Silicon, DO-7, |
|
| 1N649R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
|
| 1N649TR | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 600V V(RRM), Silicon, DO-7 |
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