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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-213AA |
| 包装说明： | HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.67 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-213AA |
| JESD-30 代码： | O-LELF-R2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 0.4 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 0.5 W |
| 最大重复峰值反向电压： | 600 V | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WRAP AROUND |
| 端子位置： | END | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N649UR-1E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 600V V(RRM), Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS P |
|
| 1N649X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, GLASS PACKAGE-2 |
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| 1N64A | NJSEMI |
获取价格 |
SILICON GENERAL PURPOSE DIODE |
|
| 1N64G | NJSEMI |
获取价格 |
SILICON GENERAL PURPOSE DIODE |
|
| 1N65 | UTC |
获取价格 |
1.2A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 1N65 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 125V 0.0003A 2-Pin DO-35 |
|
| 1N65 | HOTTECH |
获取价格 |
TO-252 |
|
| 1N6505 | NJSEMI |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE SILICON DIODES |
|
| 1N6506 | MICROSEMI |
获取价格 |
MONOLITHIC AIR ISOLATED DIODE ARRAY |
|
| 1N6506_1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Isolated Diode Array with HiRel MQ, MX, MV, and MSP Screening Options |
|
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