1N6507

更新时间： 2024-11-30 22:34:59

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美高森美 - MICROSEMI		瞬态抑制器二极管局域网
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1页	25K
描述
MONOLITHIC AIR ISOLATED DIODE ARRAY

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1N6507 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	R-CDIP-T14	针数：	14
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.66
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW CAPACITANCE, HIGH RELIABILITY
最小击穿电压：	60 V	配置：	COMMON ANODE, 8 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	R-CDIP-T14	JESD-609代码：	e0
元件数量：	8	端子数量：	14
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.6 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1N6507 数据手册

1N6507

A Microsemi Company

580 Pleasant St.

Watertown, MA 02472

Phone: 617-924-9280

Fax: 617-924-1235

DIODE ARRAY PRODUCT SPECIFICATION

MONOLITHIC AIR ISOLATED

DIODE ARRAY

FEATURES:

· HERMETIC CERAMIC PACKAGE

· Bv > 60V at 10uA

· Ir < 100nA at 40V

· C < 8.0 pF

Absolute Maximum Ratings:

1: NOT CONNECTED

Symbol

Parameter

Limit

Unit

VBR(R) *1 *2 Reverse Breakdown Voltage

Vdc

.320

.290

IO *1 * 3

IFSM *1

Continuous Forward Current

300

500

400

600

mAdc

.310

.220

.005

MIN

.200

MAX

.200

.125

Peak Surge Current (tp= 1/120 s)

Power Dissipation per Junction @ 25°C

Power Dissipation per Package @ 25°C

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

.023

.014

PT1

PT2

Top

Tstg

.785

MAX

.070

.030

-65 to +150 °C

-65 to +200 °C

.098

MAX

.100

BSC

NOTE 1: Each Diode

.060

.015

NOTE 2: Pulsed: PW = 100ms max.; duty cycle < 20%

NOTE 3: Derate at 2.4mA/°C above +25 °C

NOTE 4: Derate at 4.0mW/°C above +25 °C

.015

.008

O-15

Electrical Characteristics (Per Diode) @

25°C unless otherwise specified

PACKAGE OUTLINE

Symbol Parameter

Conditions

Min

Max Unit

Vf1

Vf2

IR1

tfr

trr

Forward Voltage

Reverse Current

Capacitance (pin to pin)

Forward Recovery Time

Reverse Recovery Time

If = 100mAdc *1

If = 500mAdc *1

VR = 40 Vdc

VR = 0 Vdc ; f = 1 MHz

If = 500mAdc

Vdc

1.5 Vdc

0.1 uAdc

8.0 pF

If = IR = 200mAdc, irr = 20mAdc, RL = 100 ohms

NOTE 1: Pulsed: PW = 300us +/- 50us, duty cycle < 2%, 90us after leading edge

Sertech reserves the right to make changes to any product design, specification or other

information at any time without prior notice.

MSC1018.PDF Rev - 11/25/98

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1N6507 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SG6507J	MICROSEMI	功能相似	Rectifier Diode, 8 Element, 0.5A, Silicon, CERAMIC, DIP-14

与1N6507相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N6507_1	MICROSEMI	获取价格	Isolated Diode Array with HiRel MQ, MX, MV, and MSP Screening Options
1N6507S	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode
1N6508	MICROSEMI	获取价格	MONOLITHIC AIR ISOLATED DIODE ARRAY
1N6508	SENSITRON	获取价格	DIODE ARRAY
1N6508_1	MICROSEMI	获取价格	Isolated Diode Array with HiRel MQ, MX, MV, and MSP Screening Options
1N6508S	MICROSEMI	获取价格	暂无描述
1N6509	MICROSEMI	获取价格	MONOLITHIC AIR ISOLATED DIODE ARRAY
1N6509_1	MICROSEMI	获取价格	Isolated Diode Array with HiRel MQ, MX, MV, and MSP Screening Options
1N6509E3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 16 Element, Silicon,
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